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Thèse
Etude cristallochimique du ruthénium et de l'osmium : sur quelques oxydes mixtes de cations trivalents (Bi3+, La3+, Nd3+)
Auteur
:
Abraham Francis
Année
:
1980
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Etude cristallochimique du ruthénium et de l'osmium : sur quelques oxydes mixtes de cations trivalents (Bi3+, La3+, Nd3+)
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Thèse
Etude d'un mutant acido-résistant de Rhizobium meliloti
Auteur
:
Rakotoarisoa Roland Richard
Année
:
1980
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Etude d'un mutant acido-résistant de Rhizobium meliloti
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Thèse
Etude d'un noyau de système de synthèse d'images : application à la visualisation de scènes tridimensionnelles
Auteur
:
Grave Michel
Année
:
1980
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Thèse
Etude de l'expansion d'argiles dans une flamme
Auteur
:
Segard Gérard
Année
:
1980
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Thèse
Etude de l'hydrogénation et de l'hydroformylation d'oléfines catalysées par des complexes rhodiés supportés
Auteur
:
Lamalle Sylvie
Année
:
1980
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Thèse
Etude de l'influence de la réflexion du fond marin sur l'interprétation de l'albedo de retrodiffusion de l'océan
Auteur
:
Baussart Norbert
Année
:
1980
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Thèse
Etude de la pénétration des champs électromagnétiques transitoires à travers des parois conductrices et des nappes de fils parallèles
Auteur
:
Nader Salah Eddin
Année
:
1980
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Etude de la pénétration des champs électromagnétiques transitoires à travers des parois conductrices et des nappes de fils parallèles
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Thèse
Etude de la plasticité à haute température de spinelles Al-Mg monocristallins
Auteur
:
Duclos Richard
Année
:
1980
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Etude de la plasticité à haute température de spinelles Al-Mg monocristallins
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Thèse
Etude des phénomènes de combustion par spectrométrie Raman laser résolue dans le temps et dans l'espace
Auteur
:
Barj Mohamed
Année
:
1980
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Etude des phénomènes de combustion par spectrométrie Raman laser résolue dans le temps et dans l'espace
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Thèse
Etude des phénomènes de transport électronique dans le silicium de type n en régimes stationnaires et non stationnaires par la méthode de Monte-Carlo : application à la simulation de composants submicroniques
Auteur
:
Zimmermann Jacques
Année
:
1980
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Etude des phénomènes de transport électronique dans le silicium de type n en régimes stationnaires et non stationnaires par la méthode de Monte-Carlo : application à la simulation de composants submicroniques
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