Titre original :

Etude des phénomènes de transport électronique dans le silicium de type n en régimes stationnaires et non stationnaires par la méthode de Monte-Carlo : application à la simulation de composants submicroniques

  • Langue : Français
  • Discipline : Sciences physiques
  • Identifiant : Inconnu
  • Type de thèse : Doctorat
  • Date de soutenance : 01/01/1980

Résumé en langue originale

Application de la méthode de simulation de Monte-Carlo à l'étude de la dynamique électronique dans les semiconducteurs. Présentation de l'ensemble des résultats acquis par la méthode dans si homogène et en volume. Simulation unidimensionnelle et unipolaire de composants de type n**(+)nn**(+) prenant en compte les phénomènes dynamiques de charge d'espace. Panorama des possibilités de la méthode de Monte-Carlo : étude de la dynamique électronique au voisinage d'une surface, des interactions électron-électron, phénomène d'ionisation par choc, simulation de composants bipolaires ou d'hétérojonction

AUTEUR

  • Zimmermann, Jacques
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