• Langue : Français
• Discipline : Instrumentation et analyses avancées
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/2003

Résumé en langue originale

Ce travail présente une étude de guides d'onde de taille submicrométrique (GOTS) réalisés en filière InP, filière particulièrement adaptée aux composants actifs des télécommunications à 1,3æm et 1,55æm. L'intérêt de tels dispositifs à fort confinement optique se manifeste dans la miniaturisation des systèmes optoélectroniques. Plusieurs méthodes de gravure des GOTS ont été envisagées : humide, RIE et ICP ; ce qui, parallèlement à des simulations par BPM (beam propagation method) de la propagation dans des GOTS idéaux permettant de déterminer l'influence des différents paramètres technologiques sur les pertes de propagation, nous a permis de dégager une structure épitaxiale et une technologie préférentielles. L'analyse de ces différentes informations nous a permis de réaliser par gravure ICP des GOTS de 0,3æm de large au minimum, présentant des pertes du même ordre de grandeur que celles relevées dans la littérature pour des structures similaires réalisées en filière GaAs.