• Langue : Français
• Discipline : Sciences des matériaux
• Identifiant : 2000LIL10215
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/2000

Résumé en langue originale

Les cliches obtenus dans les techniques de diffraction electronique en faisceau convergent (cbed) et de diffraction electronique en faisceau convergent a grand angle (lacbed), provenant d'un microscope electronique a transmission, sont constitues de lignes. Les cliches de lignes cbed permettent, en particulier, d'orienter beaucoup plus facilement et precisement un cristal que les cliches de points. Les cliches de lignes lacbed sont d'une tres grande richesse car ils contiennent un tres grand nombre de lignes et possedent simultanement l'image de la zone illuminee de l'echantillon. Cela permet de caracteriser les defauts cristallins. Auparavant, la technique lacbed etait surtout appliquee a des echantillons peu deformes et relativement peu fautes comme les semi-conducteurs, les mineraux et les ceramiques. En contrepartie de la tres grande richesse de ces cliches, la mise en uvre d'outils est necessaire. Un logiciel d'indexation semi-automatique, applicable a n'importe quel microscope electronique, a ete mis au point pour faciliter l'indexation des cliches de lignes et aussi de lever certaines ambiguites. Nous avons clairement distingue les roles des differents niveaux de symetrie d'orientation (classes de symetrie holoedre, de laue et de symetrie) d'un cristal sur l'aspect des cliches de lignes. Ces techniques ont ete appliquees avec succes a la caracterisation cristallographique de defauts cristallins dans des echantillons d'aciers qui sont tres deformes : dislocations parfaites et dislocations intergranulaires, macles, joints de grains, fautes d'empilement, et joints heterophases. L'aspect desorientation d'un joint de grains a ete generalise aux joints heterophases et a l'ensemble des symetries d'orientation des deux cristaux. Pour cela, un logiciel de calcul de la desorientation a ete mis au point. Differentes methodes d'analyses de traces de defauts plans et lineaires ont ete aussi mises au point, s'appliquant egalement aux indices cristallographiques eleves.