• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1994

Résumé en langue originale

Ce travail presente la caracterisation de l'epitaxie en phase vapeur aux organometalliques (epvom) de gaas et gaalas par reflectometrie laser. Cette technique permet la mesure en temps reel de l'epaisseur epitaxiee. Quatre longueurs d'onde laser ont ete utilisees: 1320 nm, 633 nm, 514 nm et 442 nm, auxquelles correspondent quatre domaines d'epaisseurs. Afin d'etalonner la mesure, la determination dans nos conditions de croissance de l'indice optique effectif de chaque materiau a ete realisee en utilisant une methode de caracterisation ex-situ appropriee a chaque longueur d'onde. La composition de l'alliage gaalas a ete mesuree in-situ, ainsi que la periode de multi-puits quantiques gaas/gaalas. Des phenomenes transitoires de croissance ont pu etre observes en temps reel. Par une precalibration in-situ des vitesses de croissance, des miroirs de bragg a 980 nm ont ete obtenus avec une reproductibilite et une precision de 1% de la longueur d'onde de bragg. Cette meme methode appliquee a la croissance des cavites de fabry-perot non-lineaires a permis d'obtenir un effet bistable a des seuils de 9 mw et 1 mw respectivement pour les longueurs d'onde de 980 nm et 825 nm.