• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1993

Résumé en langue originale

Ce travail presente une etude des materiaux de la famille AlGaInAs crus par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques. Une optimisation du dispositif experimental s'est averee necessaire pour remplir le difficile cahier des charges lie a la realisation des composants opto et micro-electroniques a base de ces alliages. L'introduction de l'element aluminium et la mise en uvre d'une chambre de croissance volumineuse sont a l'origine des difficultes majeures rencontrees. Differentes heterostructures a base de composes binaires, ternaires et quaternaires ont ete epitaxiees dans ce reacteur vertical sur simultanement trois substrats de deux pouces de diametre. Les uniformites en epaisseur et en composition, ainsi que les qualites cristallines, electriques et optiques de ces alliages sont du niveau requis pour la fabrication des dispositifs. Une etude des dopages fer et silicium a partir de precurseurs organometalliques nous a permis de maitriser les conditions d'obtention de materiaux respectivement semi-isolants et de type n. Les structures hfet epitaxiees possedent des transconductances voisines de 200 ms/mm.