Université Lille1 - Sciences et Technologies Contribution à l'étude par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques de matériaux (Al)GaInAs(P) sur InP pour composants opto et microélectroniques dans un réacteur multi-plaques expérimental 540 Dépôt en phase vapeur par organométalliques Text Electronic Thesis or Dissertation fr Ce travail presente une etude des materiaux de la famille AlGaInAs crus par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques. Une optimisation du dispositif experimental s'est averee necessaire pour remplir le difficile cahier des charges lie a la realisation des composants opto et micro-electroniques a base de ces alliages. L'introduction de l'element aluminium et la mise en uvre d'une chambre de croissance volumineuse sont a l'origine des difficultes majeures rencontrees. Differentes heterostructures a base de composes binaires, ternaires et quaternaires ont ete epitaxiees dans ce reacteur vertical sur simultanement trois substrats de deux pouces de diametre. Les uniformites en epaisseur et en composition, ainsi que les qualites cristallines, electriques et optiques de ces alliages sont du niveau requis pour la fabrication des dispositifs. Une etude des dopages fer et silicium a partir de precurseurs organometalliques nous a permis de maitriser les conditions d'obtention de materiaux respectivement semi-isolants et de type n. Les structures hfet epitaxiees possedent des transconductances voisines de 200 ms/mm. application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1993/50376-1993-133.pdf Decobert Jean 1900-01-01 124538622 1993-01-01 Electronique Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui Mircea A. 089061845 ddc:540 ASCII PDF 9999