• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1991

Résumé en langue originale

Un outil d'optimisation de modèles et d'extraction de paramètres de transistors MOS a été développé spécifiquement pour des applications analogiques. Il est articulé autour d'un algorithme de minimisation de fonctions non linéaires par la méthode des moindres carrés. Cet outil a facilité le développement et la validation d'un modèle de transistors MOS dont le substrat n'est pas uniformément dopé. L'importance d'une très exacte prise en compte de l'évolution de la tension de seuil en fonction de la polarisation du substrat est mise en évidence. Une méthode de calcul est proposée qui permet sa détermination précise, à partir de la seule donnée du profil de dopage. Le calcul du courant drain statique est basé sur un ajustement précis de la tension de seuil à l'aide d'une fonction empirique universelle. Il est continu dans tous les régimes de fonctionnement et ne nécessite qu'un nombre très restreint de paramètres. Pour la simulation petit signal, l'utilisation d'un modèle approché permet au modèle de garder toute sa simplicité; il utilise une approche quasi statique