Université Lille1 - Sciences et Technologies Modélisation de transistors M.O.S. à substrat non uniformément dopé pour des applications analogiques Modeling of M.O.S. transistors for analog applications with non uniform doping profile for the substrate 621.381 528 MOS (électronique) Modèles mathématiques Text Electronic Thesis or Dissertation fr Un outil d'optimisation de modèles et d'extraction de paramètres de transistors MOS a été développé spécifiquement pour des applications analogiques. Il est articulé autour d'un algorithme de minimisation de fonctions non linéaires par la méthode des moindres carrés. Cet outil a facilité le développement et la validation d'un modèle de transistors MOS dont le substrat n'est pas uniformément dopé. L'importance d'une très exacte prise en compte de l'évolution de la tension de seuil en fonction de la polarisation du substrat est mise en évidence. Une méthode de calcul est proposée qui permet sa détermination précise, à partir de la seule donnée du profil de dopage. Le calcul du courant drain statique est basé sur un ajustement précis de la tension de seuil à l'aide d'une fonction empirique universelle. Il est continu dans tous les régimes de fonctionnement et ne nécessite qu'un nombre très restreint de paramètres. Pour la simulation petit signal, l'utilisation d'un modèle approché permet au modèle de garder toute sa simplicité; il utilise une approche quasi statique application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1991/50376-1991-52.pdf Declerck Olivier 1900-01-01 132157012 1991LIL10036 1991-01-01 Electronique Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui Decarpigny Jean-Noël 115583750 ddc:620 ASCII PDF 9999