Titre original :
Contribution à l'étude de la stabilité des défauts dans l'arseniure de gallium
Mots-clés en français :
- Physique : etat condense : proprietes electriques, magnetiques, optiques
- Experimental study/crystal defect level/irradiation/plasma/hydrogen/thermal stability/deep level transient spectrometry/semiconductor materials/inorganic compound/metastable state/capacitive method/gallium arsenides/bistability
- Étude expérimentale/niveau défaut cristallin/irradiation/plasma/hydrogène/stabilité thermique/spectrométrie transitoire niveau profond/semiconducteur/composé minéral/état metastable/méthode capacitive/gallium arséniure/centre EL2/bistabilité
- Arséniure de gallium
- Langue : Français
- Discipline : Sciences des matériaux
- Identifiant : Inconnu
- Type de thèse : Doctorat
- Date de soutenance : 01/01/1989
Résumé en langue originale
Étude expérimentale par spectrométrie transitoire de niveau profond. Étude du caractère métastable du défaut natif EL2. Mise en évidence de la bistabilité d'un défaut induit par plasma d'hydrogène. Détermination de son diagramme de configuration. Identification microscopique du défaut. Étude de la stabilité thermique des défauts
- Directeur(s) de thèse : Stievenard, Didier
AUTEUR
- Boddaert, Xavier
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