Université Lille1 - Sciences et Technologies Contribution à l'étude de la stabilité des défauts dans l'arseniure de gallium Contribution to the stability of defects in gallium arsenide Physique : etat condense : proprietes electriques, magnetiques, optiques Experimental study/crystal defect level/irradiation/plasma/hydrogen/thermal stability/deep level transient spectrometry/semiconductor materials/inorganic compound/metastable state/capacitive method/gallium arsenides/bistability Étude expérimentale/niveau défaut cristallin/irradiation/plasma/hydrogène/stabilité thermique/spectrométrie transitoire niveau profond/semiconducteur/composé minéral/état metastable/méthode capacitive/gallium arséniure/centre EL2/bistabilité 549.32 Arséniure de gallium Text Electronic Thesis or Dissertation fr Étude expérimentale par spectrométrie transitoire de niveau profond. Étude du caractère métastable du défaut natif EL2. Mise en évidence de la bistabilité d'un défaut induit par plasma d'hydrogène. Détermination de son diagramme de configuration. Identification microscopique du défaut. Étude de la stabilité thermique des défauts application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1989/50376-1989-173.pdf Boddaert Xavier 1900-01-01 137954689 1989LIL10099 1989-01-01 Sciences des matériaux Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui Stievenard Didier 031746535 ddc:540 ASCII PDF 9999