Titre original :

Un nouveau dispositif semiconducteur à avalanche et temps de transit : l'hétérostructure GaInAs/InP

  • Langue : Français
  • Discipline : Sciences appliquées
  • Identifiant : Inconnu
  • Type de thèse : Doctorat
  • Date de soutenance : 01/01/1985

Résumé en langue originale

L'idée de base consiste à associer un matériau à taux d'ionisation élevé pour la zone d'avalanche à un matériau à faible taux d'ionisation pour la zone de transit. Cette association permet de minimiser le rapport des tensions entre zone d'avalanche et zone de transit et ainsi d'avoir un rendement le plus grand possible.

AUTEUR

  • Kozlowski, Romain
Droits d'auteur : Ce document est protégé en vertu du Code de la Propriété Intellectuelle.
Accès libre