Université Lille1 - Sciences et Technologies Un nouveau dispositif semiconducteur à avalanche et temps de transit : l'hétérostructure GaInAs/InP New avalanche and transit time semiconductor device 621.381 522 Diodes à avalanche Text Electronic Thesis or Dissertation fr L'idée de base consiste à associer un matériau à taux d'ionisation élevé pour la zone d'avalanche à un matériau à faible taux d'ionisation pour la zone de transit. Cette association permet de minimiser le rapport des tensions entre zone d'avalanche et zone de transit et ainsi d'avoir un rendement le plus grand possible. application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1985/50376-1985-57.pdf Kozlowski Romain 1900-01-01 091597684 1985-01-01 Sciences appliquées Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui ddc:620 ASCII PDF 9999