Titre original :
Section efficace de photoionisation des niveaux profonds dans les semiconducteurs
- Langue : Français
- Discipline : Physique
- Identifiant : Inconnu
- Type de thèse : Doctorat
- Date de soutenance : 01/01/1985
Résumé en langue originale
Mise en évidence de l'importance de la modification subie par les états de bande et occasionnée par la présence d'un défaut ponctuel sur les propriétés optiques des semiconducteurs. Le calcul est effectué dans l'approximation des liaisons fortes. Application et comparaison des résultats au cas de S, Se, Zn dans le silicium.
AUTEUR
- Petit, Jacques
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