Université Lille1 - Sciences et Technologies Section efficace de photoionisation des niveaux profonds dans les semiconducteurs Optical cross section of deep levels in semiconductors 537.622 Défauts ponctuels Propriétés optiques Photoionisation Text Electronic Thesis or Dissertation fr Mise en évidence de l'importance de la modification subie par les états de bande et occasionnée par la présence d'un défaut ponctuel sur les propriétés optiques des semiconducteurs. Le calcul est effectué dans l'approximation des liaisons fortes. Application et comparaison des résultats au cas de S, Se, Zn dans le silicium. application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1985/50376-1985-169.pdf Petit Jacques 1900-01-01 132290227 1985-01-01 Physique Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui ddc:530 ASCII PDF 9999