• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1984

Résumé en langue originale

Les défauts à l'interface silicium-oxyde sont étudiés sur des capacités M.O.S. (métal-oxyde-semiconducteur) par deux techniques complémentaires de caractérisation : une technique harmonique de mesure de conductance, g (oméga ) et une méthode spectroscopique transitoire, d.l.t.s. (deep level transient spectroscopy). La comparaison entre les deux techniques désigne la d.l.t.s. comme étant la plus performante. Deux phénomènes physiques à l'interface sont ensuite étudies par d.l.t.s. L'échange de porteurs, par effet tunnel, entre le substrat et les pièges d'oxyde près de l'interface (20 a) est détecté uniquement sur des échantillons de type n. De même un défaut ponctuel à l'interface est observé par d.t.l.s. sur des échantillons de type n. L'origine de ce défaut semble être un aggrégat d'impuretés métalliques à l'interface. La génération de la zone d'inversion au cours des mesures d.l.t.s se caractérise par un pic artificiel et une marche typique sur la caractéristique c(t). Un modèle théorique est développé qui montre, par son accord avec l'expérience, que ce sont ces états d'interface qui génèrent la zone d'inversion à basse température. Ce modèle inclut un calcul exact de la charge d'inversion et de son évolution