Université Lille1 - Sciences et Technologies Caractérisation de défauts à l'interface silicium-oxyde de silicium dans les structures M.O.S. par des méthodes spectroscopiques Characterization of defects at Si-SiO2 interface in MOS structures by spectroscopic methods 621.381 52 MOS (électronique) Semiconducteurs Défauts Semiconducteurs Jonctions Text Electronic Thesis or Dissertation fr Les défauts à l'interface silicium-oxyde sont étudiés sur des capacités M.O.S. (métal-oxyde-semiconducteur) par deux techniques complémentaires de caractérisation : une technique harmonique de mesure de conductance, g (oméga ) et une méthode spectroscopique transitoire, d.l.t.s. (deep level transient spectroscopy). La comparaison entre les deux techniques désigne la d.l.t.s. comme étant la plus performante. Deux phénomènes physiques à l'interface sont ensuite étudies par d.l.t.s. L'échange de porteurs, par effet tunnel, entre le substrat et les pièges d'oxyde près de l'interface (20 a) est détecté uniquement sur des échantillons de type n. De même un défaut ponctuel à l'interface est observé par d.t.l.s. sur des échantillons de type n. L'origine de ce défaut semble être un aggrégat d'impuretés métalliques à l'interface. La génération de la zone d'inversion au cours des mesures d.l.t.s se caractérise par un pic artificiel et une marche typique sur la caractéristique c(t). Un modèle théorique est développé qui montre, par son accord avec l'expérience, que ce sont ces états d'interface qui génèrent la zone d'inversion à basse température. Ce modèle inclut un calcul exact de la charge d'inversion et de son évolution application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1984/50376-1984-275.pdf Vuillaume Dominique 1900-01-01 059841451 1984-01-01 Electronique Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui ddc:620 ASCII PDF 9999