Titre original :

Activation thermique du glissement dans les composés semiconducteurs de type III-V InSb et GaAs faiblement dopés

  • Langue : Français
  • Discipline : Physique des matériaux
  • Identifiant : Inconnu
  • Type de thèse : Doctorat
  • Date de soutenance : 01-01-1984

Résumé en langue originale

Etude dans le cadre du formalisme de Haasen de l'activation thermique du glissement des dislocations. Evolution de la limite élastique avec la température. Mise en évidence de l'unicité du mécanisme de déformation à basse température

AUTEUR

  • Karmouda, Mohamed
Droits d'auteur : Ce document est protégé en vertu du Code de la Propriété Intellectuelle.
Accès libre