Université Lille1 - Sciences et Technologies Activation thermique du glissement dans les composés semiconducteurs de type III-V InSb et GaAs faiblement dopés Thermal activation for slip in slightly doped III-V semiconducting compounds InSb and GaAs 537.622 Arséniure de gallium Antimoniure d'indium Dislocations dans les semiconducteurs Text Electronic Thesis or Dissertation fr Etude dans le cadre du formalisme de Haasen de l'activation thermique du glissement des dislocations. Evolution de la limite élastique avec la température. Mise en évidence de l'unicité du mécanisme de déformation à basse température application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1984/50376-1984-125.pdf Karmouda Mohamed 1900-01-01 130798797 1984-01-01 Physique des matériaux Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui ddc:530 ASCII PDF 9999