Titre original :

Phénomènes balistiques et de survitesse dans un composant à semi-conducteur : application à l'étude préliminaire d'un hétéro-transistor balistique

  • Langue : Français
  • Discipline : Electronique
  • Identifiant : Inconnu
  • Type de thèse : Doctorat
  • Date de soutenance : 01/01/1983

Résumé en langue originale

L'étude porte sur les phénomènes propres au transport électronique dans les composants submicroniques. On a défini une structure classique de type nin exploitant le phénomène de survitesse dans GaAs à 77k. Les caractéristiques statistiques et dynamiques ainsi que les propriétés de son bruit en régime statique ont été évaluées

    AUTEUR

    • Ghis, Anne
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