• Langue : Français
• Discipline : Physique des matériaux
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1983

Résumé en langue originale

Déformation d'éprouvettes InSb faiblement dopé, par compression uniaxiale afin d'introduire une sous-structure de dislocations "60(o)", ou par torsion afin d'obtenir des dislocations "vis". Comparaison des spectres d'absorption optique de ces éprouvettes aux spectres de référence. On observe un décalage du front d'absorption directe vers des énergies plus faibles et une réduction de l'absorption par les porteurs libres. Les champs électriques intenses induits localement par les dislocations semblent responsables du décalage du front d'absorption directe, par l'intermédiaire de transitions tunnel à proximité des dislocations. La réduction de l'absorption intrabande est justifiée par une diminution du nombre de porteurs libres, les charges piégées semblant légèrement délocalisées