Université Lille1 - Sciences et Technologies Etude par absorption optique des niveaux profonds induits par des dislocations dans InSb Deep level optical absorption induced by dislocations in insb 537.622 6 Absorption Indium Dislocations dans les semiconducteurs Rayonnement infrarouge Text Electronic Thesis or Dissertation fr Déformation d'éprouvettes InSb faiblement dopé, par compression uniaxiale afin d'introduire une sous-structure de dislocations "60(o)", ou par torsion afin d'obtenir des dislocations "vis". Comparaison des spectres d'absorption optique de ces éprouvettes aux spectres de référence. On observe un décalage du front d'absorption directe vers des énergies plus faibles et une réduction de l'absorption par les porteurs libres. Les champs électriques intenses induits localement par les dislocations semblent responsables du décalage du front d'absorption directe, par l'intermédiaire de transitions tunnel à proximité des dislocations. La réduction de l'absorption intrabande est justifiée par une diminution du nombre de porteurs libres, les charges piégées semblant légèrement délocalisées application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1983/50376-1983-101.pdf Vignaud Dominique 1900-01-01 128829885 1983-01-01 Physique des matériaux Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui ddc:530 ASCII PDF 9999