• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1982

Résumé en langue originale

Cette étude a pour but de réaliser un modulateur et un limiteur ultrarapide sur arséniure de gallium en utilisant les variations de la mobilité des porteurs de charge par application de champs électriques importants. Description du phénomène physique et présentation de la structure semiconductrice utilisée. Théorie du contact métal-semiconducteur et mécanismes de transport à travers ce contact. Etude des mécanismes de formation d'un contact ohmique et des technologies de réalisation sur différentes couches actives d'arséniure de gallium obtenues par épitaxie en phase vapeur. Mesure des performances hyperfréquences et présentation de quelques modulateurs et limiteurs réalises en structure planar