Université Lille1 - Sciences et Technologies Technologie des contacts métal semiconducteur : application à la réalisation de modulateurs et de limiteurs hyperfréquences sur arséniure de gallium Metal-semiconductor technology 621.381 536 Contacts métal-semiconducteur Arséniure de gallium Modulateurs (électronique) Text Electronic Thesis or Dissertation fr Cette étude a pour but de réaliser un modulateur et un limiteur ultrarapide sur arséniure de gallium en utilisant les variations de la mobilité des porteurs de charge par application de champs électriques importants. Description du phénomène physique et présentation de la structure semiconductrice utilisée. Théorie du contact métal-semiconducteur et mécanismes de transport à travers ce contact. Etude des mécanismes de formation d'un contact ohmique et des technologies de réalisation sur différentes couches actives d'arséniure de gallium obtenues par épitaxie en phase vapeur. Mesure des performances hyperfréquences et présentation de quelques modulateurs et limiteurs réalises en structure planar application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1982/50376-1982-157.pdf Liu Chang Yan 1900-01-01 124348947 1982-01-01 Electronique Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui ddc:620 ASCII PDF 9999