Titre original :
De l'utilisation de l'effet tunnel dans les structures semiconductrices à temps de transit pour la génération d'ondes hyperfréquences
- Langue : Français
- Discipline : Electronique
- Identifiant : Inconnu
- Type de thèse : Doctorat
- Date de soutenance : 01/01/1978
Résumé en langue originale
MISE AU POINT DES FORMULES ANALYTIQUES SIMPLIFIEES PERMETTANT DE CALCULER LE COURANT TUNNEL EXISTANT DANS LES STRUCTURES POLARISEES SOUS DES TENSIONS INVERSES ELEVEES. ETUDE DE LA DIODE A AVALANCHE ET EFFET TUNNEL ET DE LA DIODE TUNNEL ET TEMPS DE TRANSIT. MISE EN EVIDENCE DE L'INJECTION DES PORTEURS DE TYPE TUNNEL SUR LES PERFORMANCES HYPERFREQUENCES DE DIODES ATT ET CONCEPTION D'UN NOUVEAU TYPE DE COMPOSANT PERFORMANT, LA DIODE TUTT ASGA UTILISANT DANS LA MEME STRUCTURE L'EMISSION DE CHAMP PAR EFFET TUNNEL, LES PHENOMENES DE TRANSIT ET DE TRANSFERT ELECTRONIQUE. COMPARAISON ENTRE LA THEORIE ET LES ETUDES EXPERIMENTALES POUR LES STRUCTURES A EFFET TUNNEL. OPTIMISATION DES STRUCTURES HYPERFREQUENCES
AUTEUR
- Chivé, Maurice
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