Université Lille1 - Sciences et Technologies De l'utilisation de l'effet tunnel dans les structures semiconductrices à temps de transit pour la génération d'ondes hyperfréquences 621.381 Effet tunnel Diodes à semiconducteur Microondes Text Electronic Thesis or Dissertation fr MISE AU POINT DES FORMULES ANALYTIQUES SIMPLIFIEES PERMETTANT DE CALCULER LE COURANT TUNNEL EXISTANT DANS LES STRUCTURES POLARISEES SOUS DES TENSIONS INVERSES ELEVEES. ETUDE DE LA DIODE A AVALANCHE ET EFFET TUNNEL ET DE LA DIODE TUNNEL ET TEMPS DE TRANSIT. MISE EN EVIDENCE DE L'INJECTION DES PORTEURS DE TYPE TUNNEL SUR LES PERFORMANCES HYPERFREQUENCES DE DIODES ATT ET CONCEPTION D'UN NOUVEAU TYPE DE COMPOSANT PERFORMANT, LA DIODE TUTT ASGA UTILISANT DANS LA MEME STRUCTURE L'EMISSION DE CHAMP PAR EFFET TUNNEL, LES PHENOMENES DE TRANSIT ET DE TRANSFERT ELECTRONIQUE. COMPARAISON ENTRE LA THEORIE ET LES ETUDES EXPERIMENTALES POUR LES STRUCTURES A EFFET TUNNEL. OPTIMISATION DES STRUCTURES HYPERFREQUENCES application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1978/50376-1978-109.pdf Chivé Maurice 1900-01-01 059847913 1978-01-01 Electronique Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui ddc:620 ASCII PDF 9999