Université Lille1 - Sciences et Technologies Simulation des effets tunnel résonnant dans les nanostructures de semiconducteurs 621.381 52 Transistors à effet de champ Semiconducteurs Simulation par ordinateur Effet tunnel Transfert de charge Nanostructures Hétérostructures Text Electronic Thesis or Dissertation fr Cette etude concerne les phenomenes tunnel resonnant dans des micro-composants en configurations planaire et verticale. Tout d'abord, les transferts de charge entre des systemes quantiques de differentes dimensionalites sont etudies en utilisant un nouveau formalisme prenant en compte l'ouverture du systeme. Dans la zone d'accumulation, nous definissons une densite locale d'etat. Nous montrons qu'il existe, hors resonance, une densite locale d'etat non nulle dans la zone d'injection resultant d'un couplage important avec la zone quantique centrale. Cet effet de signature est a l'origine d'une composante de courant importante dans la zone de resistance differentielle negative, demontre pour la premiere fois a notre connaissance. Par ailleurs, nous avons simule des structures double barrieres gaas, a la temperature de l'azote liquide. Les caracteristiques courant-tension montrent une evolution de type plateau en tres bon accord avec les experiences effectuees par le groupe de ntt au japon. Egalement, nous avons recemment caracterise une structure sur inp presentant des evolutions similaires. Dans une seconde etape, le nouveau formalisme nous permet d'inclure les effets d'interaction que ce soit dans la transmission ou dans l'injection. La probabilite de transmission quantique est calculee de facon auto-coherente en tenant compte du temps de duree de vie dans le puits a l'aide d'une nouvelle methode d'analyse basee sur les fonctions d'airy. La comparaison theorie experience est satisfaisante pour une large gamme de temperature. Enfin, le potentiel electrostatique bidimensionnel pour des nanostructures laterales est etudie a partir d'un modele hydrodynamique. Deux modifications cle sont introduites, a savoir, la modelisation d'un contact ohmique profond et l'introduction de l'effet de degenerescence. Un tel modele est capable de decrire les structures resonnantes de la caracteristique courant tension resultant des transferts resonnants dans les puits de potentiels induits par les grilles de commande. application/pdf 2 : 1Mo, 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1998/50376-1998-451-1.pdf https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1998/50376-1998-451-2.pdf Mikhail Adel 1900-01-01 061390046 Thèse : 1998LIL10217 1998-01-01 Electronique Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui Lippens Didier 059876859 ddc:620 ASCII PDF 9999 ASCII PDF 9999