• Langue : Français
• Discipline : Microondes et microtechnologies
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/2005

Résumé en langue originale

Les transmissions sans fil n'ont cessé de prendre un essor considérable, que ce soit pour les applications spatiales, les radiocommunications mobiles ou les communications à courtes portées (Wi-Fi, Bluetooth,...). Toutes ces applications font partie intégrale du domaine des radiofréquences (RF) et elles se sont développées grâce au progrès des transistors et de leurs performances. Depuis quelques années, avec la montée en fréquence des composants Silicium, la technologie Silicium est présente dans le domaine des radiofréquences et des hyperfréquences. Les circuits intégrés micro-ondes nécessitent des composants actifs performants, en termes de fréquences de coupure, de gain et de facteur de bruit pour des conditions de faibles polarisations. Il apparaît ainsi essentiel d'étudier les performances dynamiques et de bruit hautes fréquences des filières conventionnelles CMOS sur substrats massif et/ou SOI à longueur de grille sub-l 00 nm. Dans cette thèse, nous abordons différents thèmes avec tout d'abord une description de l'architecture des transistors MOS sur substrat Massif ou SOI et un état de l'art de leurs performances dynamiques et de bruit. Nous présentons ensuite une étude théorique permettant de dégager les paramètres influant sur les performances hyperfréquences et de bruit. Cette étude est suivie par la présentation de deux techniques de mesures de bruit disponible au laboratoire, mise à profit pour étudier expérimentalement les paramètres limitant la montée en fréquence et les performances de bruit des transistors MOS à structure conventionnelle. Nous concluons alors sur une discussion concernant les architectures alternatives permettant d'outrepasser ces limitations.