• Langue : Français
• Discipline : Microondes et microtechnologies
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/2005

Résumé en langue originale

Le développement des applications hyperfréquences futures (Internet haut débit, WI-FI, radioastronomie, métrologie de polluants,...) nécessite la mise au point de circuits intégrés ultra-rapides. L'un des principaux éléments constituant ces circuits est le HEMT. Actuellement, la fréquence maximale d'oscillation fMAX et la fréquence de coupure fT de ce transistor se situent aux alentours de 600 GHz. De telles fréquences sont obtenues en réduisant les longueurs de grille (Lg) en deçà de 50nm. Cependant, on constate une stabilisation des performances fréquentielles avec la réduction de (Lg) compte tenu de l'importance des effets de canal court à ces valeurs de Lg. Il faut donc, dès à présent, proposer des solutions alternatives. Le développement de ces nouveaux composants de la filière HEMT AlInAs/GalnAs adapté en maille sur lnP, basé sur une technologie de report de substrat, constitue l'objet de cette thèse. Ces travaux sont composés de simulations, de fabrications et de caractérisations électriques. Nous avons réalisé des transistors HEMT Double-Grille (DG-HEMT), de longueurs de grille 100nm parfaitement alignées. Sur ces structures, une transconductance extrinsèque record de 2650 mS/mm et un fMAX augmenté de plus de 30% par rapport à un HEMT standard ont été obtenus. Par la suite, une seconde structure basée sur le principe de la modulation de vitesse et désignée sous le nom de transistor VMT a été simulée, réalisée et caractérisée en régime statique. La concordance entre la simulation et les résultats électriques confirme le fonctionnement de ce composant en modulation de vitesse.