Université Lille1 - Sciences et Technologies Etude de HEMT's AlInAs/GaInAs à désertion et à enrichissement pour applications haute fréquence Study of AlInAs/GaInAs based E-Mode and D-Mode HEMT's for high frequency applications Tension de pincement Transistors à haute mobilité d'électrons (HEMT) 621.381 528 4 Transistors à effet de champ Conception et construction Circuits intégrés numériques Circuits intégrés pour microondes Phosphure d'indium Arséniure de gallium Text Electronic Thesis or Dissertation fr Les circuits fonctionnent à des fréquences toujours plus élevées. L'objectif de ce travail est de réaliser une technologie HEMT AlInAs/GaInAs; sur InP ou métamorphique sur GaAs, à désertion ou à enrichissement pour la conception de circuits d'architecture complexe fonctionnant à des débits au-delà de 100 Gb/s ou en gamme d'onde millimétriques. Après avoir modélisé la structure d'un HEMT à enrichissement, nous étudions la technologie la plus adaptée à la réalisation de transistors. Un HEMT N-OFF AlInAs/GaInAs métamorphique sur GaAs est obtenu (LG= 0,13 m, fT = 155 GHz). Enfin, nous développons une technologie à double seuil. Les HEMTs ON AlInAs/GaInAs sur InP réalisés ont une tension de pincement de -0,48 V, (LG= 0,1 m, fT = 210 GHz). Les HEMTs OFF réalisées ont une tension de pincement de 0 V (LG= 0.14 m, fT = 160 GHz). Ces transistors, à l'état de l'art, peuvent être réalisés sur le même substrat et ouvrent des perspectives pour la réalisation de circuits à haute fréquence. application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/RESTREINT/Th_Num/2005/50376-2005-188.pdf Roucher Vincent 1900-01-01 09520380X 2005LIL10083 2005-01-01 Microondes et microtechnologies Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui Cappy Alain 056754701 Bollaert Sylvain 108875415 ddc:620 ASCII PDF 9999 restriction 2012-01-01 9999-01-01 restriction 2012-01-01 9999-01-01