Université Lille1 - Sciences et Technologies Etude de faisabilité de circuits pour systèmes de communication en bande millimétrique, en technologie BiCMOS SiGeC 0,13 m Feasibility study of millimeter wave circuits for communication systems, using BiCMOS SiGeC 0,13 m technology 621.381 31 621.381 528 Amplificateurs microondes Lignes à bandes Oscillateurs à microondes Ondes millimétriques Transistors bipolaires Lignes de transmission (télécommunications) Ondes électromagnétiques Propagation MOS complémentaires Germanium Silicium Substrats Hétérostructures Mélangeurs hyperfréquences Circuits électroniques Bruit Text Electronic Thesis or Dissertation fr er ainsi leurs influences au niveau des circuits conçus. Dans un deuxième temps, une étude des performances du transistor bipolaire ainsi qu'une validation des modèles associés en gamme d'ondes millimétriques (notamment HICUM) ont été réalisées. L'optimisation des pertes des structures de propagation ainsi que la validation des modèles du transistor nous a permis de développer une méthodologie de conception afin d'optimiser les performances des circuits. La réalisation de démonstrateurs constituant une chaîne de réception à 40GHz a démontré des performances intéressantes avec cette technologie tout en mettant l'accent sur les limitations. Finalement, les trois principaux éléments de cette chaîne de réception (amplificateur faible bruit, oscillateur et mélangeur) ont été assemblés pour réaliser un récepteur superhétérodyne à 40GHz. Les résultats obtenus avec ce récepteur ont permis de valider la démarche de conception utilisée tout en positionnant l es performances à l'état de l'art en technologie Silicium. Durant ces dernières années, le développement des technologies Silicium a permis la montée en fréquence des composants actifs, notamment des transistors bipolaires à hétérojonction SiGe qui atteignent désormais des fréquences de coupures supérieures à 150GHz. Il nous a donc semblé intéressant d'évaluer les performances de ces technologies en gamme millimétrique, domaine réservé jusqu'à présent aux technologies III-V. Ainsi, l'objectif de ce travail de recherche a été d'évaluer les potentialités de la filière BiCMOS SiGeC 0,13 m (BiCMOS9) ainsi que le transistor bipolaire à hétérojonction de la technologie de génération suivante pour des circuits utilisables pour les télécommunications à 40GHz. La première partie de nos travaux de recherche a consisté à élaborer les librairies des différentes structures de propagation utilisées pour la conception. Celles-ci ont été optimisées pour obtenir des pertes minimales en gamme millimétrique et limit application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/RESTREINT/Th_Num/2005/50376-2005-176.pdf Pruvost Sébastien 1900-01-01 094812098 2005LIL10077 2005-01-01 Microondes et microtechnologies Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui Dambrine Gilles 05991503X Danneville François 060251875 Telliez Isabelle 133034623 ddc:620 ddc:620 ASCII PDF 9999 restriction 2012-01-01 9999-01-01 restriction 2012-01-01 9999-01-01