Modélisation hydrodynamique bidimensionnelle de transistors à effet de champ : analyse physique des limitations et des performances hyperfréquences des filières pHEMT sur GaAs et HEMT sur GaN pour l'amplification de puissance
- Claquage par avalanche
- Fossé de grille
- Modèles hydrodynamiques
- Semiconducteurs au nitrure de gallium
- Transistors pseudomorphiques
- Transistors à haute mobilité d'électrons
- Transistors à effet de champ
- Transistors de puissance
- Semiconducteurs à l'arséniure de gallium
- Semiconducteurs
- Langue : Français
- Discipline : Électronique
- Identifiant : 2004LIL10020
- Type de thèse : Doctorat
- Date de soutenance : 01/01/2004
Résumé en langue originale
Ce travail est axé sur la simulation des FETs pour l'amplification de puissance hyperfréquence. Dans ce but, 'nous .avons développé des modèles de type hydrodynamique bidimensionnel pour analyser le phénomène de claquage par avalanche dans les pHEMTs sur GaAs, ainsi que pour étudier les HEMTs AlGaN/GaN. Ces modèles sont des outils précis qui permettent d'analyser des composants de puissance dont les topologies sont proches des structures réelles. La confrontation des résultats théoriques avec ceux issus des mesures s'avère être très satisfaisante. L'étude du pHEMT sur GaAs, nous a permis de comprendre le mécanisme de claquage par avalanche dans ce type de composant. Ainsi, le pHEMT à double recess de grille et à deux plans de dopage constitue la structure la mieux adaptée pour l'amplification de puissance hyperfréquence. Le modèle adapté pour étudier les HFETs AlGaN/GaN, permet de montrer les excellentes potentialités de cette filière dans le domaine de l'amplification de puissance.
- Directeur(s) de thèse : Jaeger, Jean-Claude de - Rousseau, Michel
AUTEUR
- Elkhou, Majda
