• Langue : Français
• Discipline : Sciences de la Vie et de la Santé
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/2003

Résumé en langue originale

e par l'hypoxie. ts de délétion, nous avons localisé la région responsable de cette différence de reconnaissance entre Val280 et Glu302 du domaine codé par l'exon VII. Nous avons montré que les deux isoformes de Ets-l activent le promoteur de la VEcadhérine par deux EBS fonctionnels et ce, de façon différente. Nos travaux suggèrent que p42Ets-1 est un facteur de transcription à part entière distinct de p51Ets-l et susceptible de réguler l'expression de ses propres gènes. D'autre part, nous avons recherché les gènes cibles de Ets-l dans les cellules endothéliales. En analysant l'effet de la sur-expression de Ets-l sur l'expression de différents marqueurs endothéliaux, nous avons montré que Ets-l induisait l'expression du gène fli-l dans les cellules endothéliales et analysé la régulation du promoteur de fli-l. Nous avons également mis en évidence une boucle d'autorégulation de fli-l. Enfin, nous avons mis en évidence une régulation de l'expression du gène de la VEcadhérin Le facteur de transcription Ets-I est le membre fondateur de la famille ETS dont l'expression est associée aux cellules endothéliales au cours de l'angiogenèse. Les protéines ETS partagent un domaine conservé de 85 acides aminés, appelé domaine ETS, capable de reconnaître un motif d'ADN contenant une séquence centrale GGAW, nommé EBS. Nous avons identifié chez la souris un variant d'épissage alternatif de l'exon VII qui code pour une protéine de 40,5 kDa, nommée p42Ets-l. Le domaine codé par l'exon VII est impliqué dans la régulation de l'activité trancriptionnelle de la protéine p5I Ets-l. Le transcrit de ce variant est exprimé, à un niveau plus faible, dans toutes les lignées cellulaires exprimant celui de p5lEts-1 ainsi que dans l'embryon. Nous avons montré que la protéine p42Ets-1 reconnaît des EBS plus variés que p51Ets-l. La principale variation observée se situe au niveau de la base localisée en -1 du motif GGAW. En construisant une série de mutan