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<dc:title xml:lang="fr">Comparaison des structures d'onduleurs de tension multiniveaux sur la base du dimensionnement des éléments réactifs et des pertes dans les semi-conducteurs</dc:title>
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<dcterms:abstract xml:lang="fr">Les techniques multiniveaux constituent une solution intéressante pour la montée en puissance des convertisseurs. Dès que la tension continue d'alimentation dépasse quelques kV, il est nécessaire d'associer des interrupteurs, des cellules de commutation ou des convertisseurs. Parallèlement de telles combinaisons assurent une réduction du contenu harmonique des tensions de sortie au fur et à mesure de l'augmentation du nombre de niveaux. Mais une multitude d'architectures sont susceptibles de répondre à une application donnée, selon la nature, série ou parallèle, de l'association, le nombre de modules associés (Np en parallèle, Ns en série) et le nombre de niveaux des tensions qu'ils délivrent. Le choix est donc particulièrement délicat et la question est de savoir s'il faut utiliser un convertisseur unique de forte puissance ou s'il faut lui préférer une association de modules de puissance réduite. L'objectif de ce travail est de guider le concepteur en examinant les conséquences des paramètres N, Np et Ns sur le dimensionnement des éléments réactifs et les pertes dans les semi-conducteurs, à performances données en termes de tension continue d'alimentation, de puissance délivrée à la charge et de qualité harmonique du courant de charge. Un intérêt particulier a été accordé à l'élaboration d'une stratégie d'élimination d'harmoniques et d'un outil d'évaluation des pertes en conduction et en commutation dans les semi-conducteurs. Pour conclure, un exemple d'application montre que la confrontation des résultats sur les différents critères permet de réduire considérablement le nombre de structures qui méritent d'être retenues et illustre ainsi l'intérêt de la méthode.</dcterms:abstract>
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