• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : 2001LIL10122
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/2001

Résumé en langue originale

Pour tenter d'améliorer les performances des lasers semi-conducteurs, de nombreuses topologies ont été testées. Nous proposons, dans ce travail, la réalisation technologique ainsi que la caractérisation d'un nouveau type de laser semi-conducteur : le laser à deux rubans couplés latéralement sur InP. Il s'agit, à l'aide d'une topologie nouvelle, de coupler deux rubans lasers latéralement, c'est à dire sur toute leur longueur. La volonté d'effectuer des caractérisations hyperfréquences nous a amené à choisir un procédé technologique ambitieux. En effet, ce procédé technologique implique la résolution de nombreux problèmes. Il nous a fallu d'abord élaborer un procédé permettant de réussir des dépôts épais (>3 æm) de résine électronique. L'utilisation de résine électronique, et donc de la lithographie du même nom, s'est révélée indispensable pour définir les rubans lasers. Ce travail réalisé, nous avons dû mettre au point les procédés de gravure profonde nécessaire à l'obtention des rubans lasers ainsi qu'à la réalisation des contacts ohmiques. Contacts ohmiques déposés en utilisant le procédé de "lift-off" avec des résines optiques épaisses (contact n) mais aussi des résines électroniques épaisses (contact p). L'isolation de la zone inter-ruban a, de plus, demandé une mise au point spécifique, par le procédé d'implantation ionique. Nous décrivons ensuite les caractérisations optique, électrique et fréquentielle de deux composants d'espace inter-ruban distincts (4æm et 10æm). Ces caractérisations ont permis la mise en évidence d'un comportement en puissance particulier dont l'origine ne peut, dans l'état actuel de nos caractérisations, être vraiment déterminée entre un couplage optique seul, un couplage électrique seul ou une combinaison des deux effets. Nous avons aussi mis en évidence un effet de dédoublement de raie du spectre optique qui a été utilisé pour générer un signal microon