• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : 2001LIL10123
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/2001

Résumé en langue originale

Ce travail s'est déroulé à l'IEMN et fait suite à une thèse également soutenue dans l'équipe optoélectronique de l'IEMN, sur la réalisation de matrices de commutation sur InP. Notre étude a été soutenue par la direction Générale des Armées et suivi par THALES systèmes aéroportés. Initialement, le travail effectué était essentiellement technologique, destiné à rendre plus fiable et reproductible le procédé de réalisation de ces composants. Diverses modifications du procédé ont donc été établies dans ce but. La vérification des composants finaux a révélé un bon contrôle des dimensions caractéristiques des composants dans la limite des inhomogénéités sur plaque, inhérentes au matériel utilisé pour la fabrication. Malgré ces améliorations du process nous n'avons pu réaliser la fonction de commutation 4x4 qui n'avait pu être atteinte dans les travaux précédents pour cause d'un problème technologique invoqué et maintenant résolu ! De ce fait nous avons donné une autre orientation à notre travail, en abordant les problèmes plus amont de la conception des composants. Ces études ont révélé une influence importante de la couche d'InGaAs sur le comportement optique des composants. Les composants en question sont du type commutateur cascade multibloc. Ils sont basés sur le couplage passif entre guides parallèles distincts. La commutation est effective par injection de porteurs de charge électrique qui modifie l'indice dans la zone concerné, pouvant ainsi empêcher ce couplage. La couche d'InGaAs est uniquement dédiée aux aspects électriques en permettant une bonne injection de porteurs de charge dans la zone active du composant. L'influence de cette couche sur le fonctionnement passif du composant a été mis en évidence par la méthode des faisceaux propagés en trois dimensions. Suite à ce constat nous avons redéfini des structures de composants cascade monobloc et DOS à partir d'une structure épitaxiale pensée pour diminuer l'influence optique de cette couche d'InGaAs. La structure monobloc a une topologie plus facilement réalisable que la structure multibloc. Les résultats de caractérisation ont confirmé notre hypothèse. La réalisation de commutateurs cascade multiblocs, avec et sans InGaAs ont démontré des comportements radicalement différents dans les deux cas de figure [...]