Université Lille1 - Sciences et Technologies Croissance et optimisation de composants à base de GaN sur saphir : LED bleues et transistors 620.18 Dispositifs optoélectroniques Rayons X Diffraction Puits quantiques Superréseaux Composés semiconducteurs Alliages ternaires Dépôt en phase vapeur par organométalliques Nitrure de gallium Text Electronic Thesis or Dissertation fr En raison de leurs applications prometteuses dans les domaines de l'optoélectronique et de l'électronique, les semiconducteurs composes III-Va base d'azote, les nitrures (ga, al, in, n), font l'objet depuis le début des années 1990 d'une activité croissante en recherche et développement. L'intérêt principal des nitrures réside dans la grande plage de bande interdite directe couverte par leurs alliages, et dans leurs propriétés électroniques de vitesse de saturation et de champ de claquage élevés. Le chapitre 1 résume quelques propriétés principales des nitrures et traite des difficultés rencontrées lors de cette étude et des performances atteintes sur les composants réalisés. Dans le chapitre 2, nous étudions plus précisément le binaire gan (croissance et caractérisations) et son dopage. Le chapitre 3 est consacre a l'étude des composes ternaires in xga 1 - xn et al xga 1 - xn. Une méthode de calcul des contraintes et de la composition des ternaires a partir de mesures de diffraction x, tenant rigoureusement compte de la structure hexagonale des nitrures, est exposée. Nous montrons également les résultats obtenus sur l'étude des structures a multipuits quantiques ingan/gan et super-réseaux algan/gan. Dans le chapitre 4, nous développons les aspects technologiques lies au process des couches nitrures (contacts ohmiques, gravure sèche, clivage). Nous étudions en particulier la formation des contacts sur gan de type n (comparaison ti/al et tin) et mettons au point le contact ni/au ohmique semi-transparent sur p-gan. Enfin, les composants fabriques qui concrétisent ces travaux sont décrits dans le chapitre 5. Nous discutons des propriétés observées et des performances obtenues sur des leds et des transistors a effet de champ. application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/RESTREINT/Th_Num/2000/50376-2000-99.pdf Huet Frédérik 1900-01-01 060941189 Thèse : 2000LIL10046 2000-01-01 Sciences des matériaux Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui Di Persio Jean 060646063 ddc:620 ASCII PDF 9999 restriction 2012-01-01 9999-01-01 restriction 2012-01-01 9999-01-01