• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : 2000LIL10031
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/2000

Résumé en langue originale

Ce travail porte sur la realisation de transistors a effet de champ dans les deux filieres de semiconducteurs inp et gan pour l'amplification de puissance hyperfrequences. La premiere partie est consacree a la realisation en technologie microruban d'elements passifs et actifs afin de concevoir un circuit de puissance a 60 ghz sur substrat d'inp. Une technologie originale de trous metallises a ete mise au point par voie chimique. Des elements passifs ont ete realises avec cette technologie et mesures en hyperfrequences afin de valider ou completer les modeles de la bibliotheque du simulateur mds. Des hemts ont ete realises en technologies microruban et coplanaire. L'analyse de leurs caracteristiques electriques n'a montre aucune degradation apportee par les trous metallises. Nous disposons ainsi de tous les elements necessaires a la realisation du circuit d'amplification. La seconde partie porte sur la realisation de mesfets dans la filiere gan pour des applications en puissance et a haute temperature. Les differentes briques technologiques permettant de realiser le composant ont ete d'abord etudiees. Le contact ohmique retenu tient thermiquement jusqu'a 600\c. Une gravure du gan par plasma a aussi ete mise au point. Enfin, le contact schottky a ete aborde. Les composants realises ont ete caracterises. Nous avons obtenu, selon la distance source drain, jusqu'a 140 v et 350 v pour respectivement une tenue en tension vds en configuration transistor a canal ouvert et une tension de claquage en configuration diode inverse. La mesure a haute temperature a montre le fonctionnement du composant jusqu'a 450\c sans degradation. La mesure en regime impulsionnel a mis en evidence l'existence de pieges localises en surface qui peuvent etre excites par la lumiere et/ou la temperature et/ou le point de polarisation. Une densite de puissance de 2,2 w/mm a ete obtenue a 3 ghz pour une longueur de grille de 300 nm, ce qui constitue un resultat au niveau de l'etat de l'art.