• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : 2000LIL10153
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/2000

Résumé en langue originale

Leur formation obeit a une cinetique du premier ordre comme dans le cas de la croissance d'une monocouche de c 1 8 purs, mais ralentie par la presence des c 1 2. Dans un deuxieme temps, ces resultats ont ete appliques a des molecules a terminaison fonctionnalisable, et des groupements riches en electrons ont ete greffes sur la surface des monocouches mixtes. L'interet d'un tel systeme reside dans la possibilite d'une fonctionnalisation selective de la surface uniquement sur les ilots, permettant ainsi la realisation de motifs nanometriques sans lithographie. Dans l'optique de l'utilisation de ces structures pour des composants en nano-electronique, une etude des charges incorporees dans les monocouches a egalement ete realisee. Nous avons etudie la formation de domaines de dimensions nanometriques (separation de phase) dans des monocouches auto-assemblees (sam) mixtes d'alkylsilanes sur silicium. Des sam mixtes d'alkylsilanes a 12 et 18 carbones (c 1 2 et c 1 8) ont ete realisees pour differents ratios molaires c 1 8/c 1 2 en solution, et a differentes temperatures. Les echantillons ont ete caracterises par microscopie a force atomique (afm), spectroscopie infrarouge a transformee de fourier (ftir), ellipsometrie et mesures d'angle de contact. L'analyse des resultats montre que les monocouches sont constituees d'ilots de c 1 8 dans une phase mixte c 1 8/c 1 2. Dans le cas ou les c 1 8 sont majoritaires dans la monocouche, des ilots de dimensions entre 20 et 700 nm suivant une distrubution en loi de puissance sont observes. Par contre, lorsque les c 1 2 sont majoritaires, seuls des ilots de faibles dimensions ( 20-40 nm) apparaissent. Nous avons montre que la formation de ces ilots est favorisee a basse temperature.