Université Lille1 - Sciences et Technologies Modélisation et simulation multidimentionnelle des contraintes mécaniques en technologies silicium avancées 621.381 52 Éléments finis, Méthode des Rhéologie Contraintes (mécanique) Spectroscopie Raman Étalonnage Technologie silicium sur isolant Text Electronic Thesis or Dissertation fr La calibration des modeles est realisee a partir des mesures obtenues par spectroscopie micro-raman. Par ailleurs, la simulation mecanique des procedes depuis la realisation des structures d'isolation jusqu'a la fabrication des edifices d'interconnexions necessite une modelisation avancee des proprietes rheologiques des materiaux. C'est pourquoi un modele d'elastoplasticite est developpe pour reproduire le comportement complexe des alliages d'aluminium. Ces nouvelles fonctionnalites des outils de simulation sont mises en uvre pour l'etude des architectures d'isolation de composants et l'optimisation des etapes de fabrication d'edifices d'interconnexions. Ce travail s'est deroule dans le cadre des projets europeens esprit/jessi 24038 prompt ii et ist-1999-10341 stream. La reduction des dimensions des dispositifs microelectroniques reste a ce jour le meilleur moyen d'ameliorer les performances des circuits integres. Dans cette perspective, la maitrise des contraintes mecaniques generees au sein des dispositifs devient incontournable. L'identification des etapes critiques responsables de l'apparition de defaillances est souvent delicate car les origines possibles sont multiples (variations thermiques, oxydations, siliciurations, depots et gravures). La simulation multidimensionnelle (2d et 3d) de technologie represente un outil precieux qui permet le calcul des champs de contraintes etape par etape. L'objectif de ce travail est de systematiser le calcul de structures pour la simulation de procedes en introduisant les differentes sources de contraintes mecaniques rencontrees en technologie silicium. Une attention particuliere est portee aux sources extrinseques (absorption/evaporation d'humidite des oxydes deposes, densification des oxydes pellicules, cristallisation du silicium amorphe). Ces developpements sont d'abord realises dans un simulateur bidimensionnel, impact, puis etendus au cas tridimensionnel au sein du module difox. application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/2000/50376-2000-390.pdf Hoffmann Thomas 1900-01-01 103955798 2000LIL10122 2000-01-01 Electronique Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui Collard Dominique 070432147 ddc:620 ASCII PDF 9999