• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : 2000LIL10074
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/2000

Résumé en langue originale

Ce memoire est consacre a l'etude des heterostructures formees a partir de materiaux semiconducteurs iii-v appliquees aux dispositifs electroniques quantiques. Trois themes sont plus particulierement abordes. Leur denominateur commun est la simulation des proprietes physiques des heterostructures tant d'un point de vue electrique qu'optique mettant en jeu la resolution autocoherente des equations de poisson et de schrodinger mono-et multi-bandes. Nous avons tout d'abord etudie l'heterostructure inalas/inp, intrinsequement de type ii. L'analyse des spectres de photoluminescence nous a amene a considerer les readaptations d'interface favorisant l'apparition d'une couche intermediaire d'inas qui transforme l'heterostructure en un type mixte type i/type ii. Ensuite nous abordons la multiplication de frequence avec les composants hbv (heterostructure barrier varactor) dont les proprietes de symetrie favorisent la generation d'harmoniques impairs. La non-linearite capacitive a ete optimisee dans les systemes de materiaux inp et gaas par insertion de perturbations de potentiel de part et d'autre de la barriere bloquante. Des contrastes de capacite proches de 10 : 1 associes a des tensions de seuil elevees ont ete obtenus. Des criteres de conception pour un fonctionnement vers les frequences terahertz sont proposes. Enfin nous presentons une etude de la diode a effet tunnel resonnant interbande par une approche multibande. En effet ce type de composant a base d'antimoine favorise un courant electrons-trous legers-electrons dont l'allure est modulee par la reaction de charge d'espace des trous lourds. Ceci est mis a profit pour l'analyse de detecteurs optiques ultra-rapides a haute sensibilite.