• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : 2000LIL10023
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/2000

Résumé en langue originale

Ce travail concerne l'etude des potentialites du transistor higfet (heterostructure insulated-gate field-effect-transistor) realise sur gaas pour les applications tant digitales qu'analogiques. La realisation de transistors en technologie auto-alignee a 1 m de longueur de grille a donne d'excellents resultats avec des valeurs de courants, de transconductances et de frequences de coupure qui sont au niveau de l'etat de l'art. Afin d'ameliorer ces performances, il est apparu essentiel de reduire la longueur de grille. Les differentes realisations de composants submicroniques ont montre divers phenomenes, tels que l'apparition des effets de canaux courts, pour des longueurs de grille inferieures a 0.5 m. L'etude detaillee de ces effets restrictifs nous a permis, d'une part de mettre au point une technologie auto-alignee avec espaceurs dielectriques, et d'autre part de jouer sur la qualite des materiaux disponibles par epitaxie. La solution technologique a necessite le parametrage de la gravure du dielectrique, de la dose et de l'energie d'implantation et du recuit thermique rapide. L'etude de nouvelles heterostructures nous ont permis de selectionner deux couches pour la filiere phosphoree et metamorphique. Pour les applications digitales, des performances au niveau de l'etat de l'art sont obtenus notamment pour le higfet de type n realise sur filiere pseudomorphique avec espaceurs. Dans le cas des applications analogiques, des mesures load-pull effectues a 10ghz ont permis d'atteindre des valeurs records de densite de puissance et de rendement en puissance ajoutee sous faible tension d'alimentation.