• Langue : Français
• Discipline : Électronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1999

Résumé en langue originale

Ce travail porte sur l'intégration monolithique de HEMT's sur substrat de phosphure d'indium en vue de l'amplification de puissance en bande V. Cette étude constitue un des axes majeur de la recherche au laboratoire, qui porte sur les potentialités des transistors de la filière GaInAs. La première partie de ce mémoire replace l'étude dans son contexte international, et donne un état de l'art des composants de puissance et des circuits intégrés (MMIC) à la fréquence de 60 GHz. La deuxième partie expose la réalisation, les mesures et la modélisation d'éléments passifs nécessaires à la conception de circuits. La mesure de structures telles que des lignes de transmissions, des résistances, des capacités, ou encore des trous métallisés puis leur rétro-simulation sur le logiciel commercial MDS ont permis d'élaborer une bibliothèque d'éléments passifs fiables jusque 60 GHz propre à la technologie développée au laboratoire. La troisième partie est consacrée aux éléments actifs. Elle porte tout d'abord sur la caractérisation et la modélisation de transistors destines à la mise au point d'une épitaxie et du processus de fabrication adaptés à l'amplification de puissance microonde. L'élaboration d'un schéma équivalent petit signal pour le transistor, valable jusqu'a 60 GHz, fait l'objet d'une attention toute particulière. Puis, les résultats des mesures de composants multi-doigts de grille en guide microruban seront présentés. La dernière partie relie les deux précédentes en décrivant la conception du démonstrateur. Les différentes étapes de celle-ci seront abordées en tenant compte des contraintes imposées sur les modèles des éléments passifs décrits dans la deuxième partie. Une méthodologie de conception progressive est adoptée afin de s'attacher à distinguer le rôle tenu par les principaux éléments des circuits d'adaptation et de stabilisation.