• Langue : Français
• Discipline : Électronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1999

Résumé en langue originale

La saturation progressive des bandes de fréquences allouées pour les systèmes électroniques hyperfréquences conduit à développer des applications vers de plus hautes fréquences. Le travail présente dans ce mémoire traite de circuits intégrés monolithiques en technologie coplanaire pour des applications de réception jusque 110 GHz. Il a été soutenu par un contrat de la Délégation Générale de l Armement et mené en collaboration avec la société Thomson Détexis. L'objet de cette thèse est d'apporter une contribution au projet de réalisation de circuits amplificateurs faible bruit à 60 GHz et 94 GHz en technologie intégrée coplanaire. Malgré les avantages présentés par la structure coplanaire, celle-ci reste relativement peu employée compte tenu d'une base incomplète de données de conception. Nous présentons le développement d'un procédé de fabrication d'éléments passifs en technologie coplanaire sur substrat de phosphure d'indium permettant la réalisation des circuits amplificateurs. Après la réalisation technologique d'une bibliothèque complète d'éléments passifs coplanaires, nous proposons des modèles analytiques paramétrables, valables jusque dans le domaine millimétrique, pour les principales discontinuités coplanaires. Ces modèles sont validés par comparaison avec des résultats expérimentaux (mesure de paramètres s jusque 110 GHz) ainsi que par des résultats de simulations électromagnétiques 3D. Deux circuits amplificateurs faible bruit à 60 GHz et 94 GHz basés sur une technologie 0.1 m LM-HEMT sur InP sont présentés. Ces circuits, réalisés dans la centrale de technologie du laboratoire, constituent l'une des premières réalisations de LNA millimétriques en technologie coplanaire sur InP. En très bon accord avec les prédictions, les meilleures performances mesurées sont des facteurs de bruit/gains associés de 4 dB/14.4 dB à 60 GHz et 3.3 dB/11.9 dB à 94 GHz. Ces résultats valident et montrent l'efficacité des modèles développés dans ce mémoire pour la conception de circuits intégrés jusque 110 GHz.