• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1998

Résumé en langue originale

L'objectif de ce travail est l'etude de faisabilite d'applications hyperfrequences et optoelectroniques des circuits electroniques actifs a base d'oscillateurs a transistor a transfert electronique fected. Nous effectuons dans le premier chapitre une description des deux modeles electriques temporels que nous avons utilise pour simuler le fonctionnement electrique global des circuits a transistor fected. Le point commun entre ces modeles de circuit est l'utilisation d'un modele physique numerique bipolaire quasi-bidimensionnel de type energie en ce qui concerne le transistor. Dans le deuxieme chapitre, nous avons mene une etude theorique d'optimisation systematique des caracteristiques geometriques et technologiques de la structure du transistor fected pour un fonctionnement en regime continu d'oscillations libres. Cette optimisation est effectuee a differentes frequences dans la bande millimetrique et pour les trois materiaux gaas, inp et gainas. Dans le troisieme chapitre, nous presentons les resultats de mesures experimentales des premiers oscillateurs a transistor fected en gaas realises dans notre laboratoire. Ceux-ci etaient prevus pour un fonctionnement en oscillations libres a des frequences voisines de 33 ghz. Ces experimentations ont ete realisees a l'aide de trois types de circuit hyperfrequence. La fin du chapitre est consacree a une etude de faisabilite a la fois theorique et experimentale concernant de nouvelles applications hyperfrequences et optoelectroniques de circuit a transistor fected.