• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1998

Résumé en langue originale

Les applications actuelles de la micro-electronique requierent des composants de plus en plus rapides. Dans cette perspective, nous avons mis en evidence les potentialites des materiaux phosphores (alga)inp sur gaas elabores par epitaxie par jets moleculaires a sources gazeuses. Nous avons, tout d'abord, effectue des calculs afin d'extraire les principales caracteristiques physiques des alliages relaxes et contraints. Nous avons optimise les conditions de croissance des alliages (al#xga#1##x)#0#,#5#0in#0#,#5#0p en accord de maille et determine experimentalement la transition gap direct - gap indirect. Le dopage volumique et par plans a revele la presence de pieges pour des alliages riches en aluminium. La relaxation des alliages gainp contraints en tension et en compression a ete observee par diffraction d'electrons ; nous montrons que les alliages contraints en tension peuvent etre le siege d'une decomposition spinodale. Si la croissance des materiaux massifs n'a pas pose de problemes, il n'en a pas ete de meme lors de la realisation des premieres heterostructures. Des mesures de photoluminescence ont revele des interfaces arseniures-phosphures diffuses. Le profil de composition en elements v aux interfaces a ete determine par xps et nous avons montre que le caractere diffus des interfaces est cause par des effets extrinseques lies au dispositif experimental. Nous avons propose une methode originale d'habillage de l'interface par alinp, pour obtenir de bonnes caracteristiques de transfert des electrons dans les simples et doubles heterojonctions.