Université Lille1 - Sciences et Technologies Relaxation hétérogène des contraintes dans les hétérostructures semiconductrices III-V : caractérisation par microscopie électronique en transmission et simulation Heterogeneous stress relaxation in iii-v semiconductor heterostructures 620.112 Éléments finis, Méthode des Relaxation des contraintes Composés semiconducteurs Hétérostructures Text Electronic Thesis or Dissertation fr Ce travail de these est une contribution a l'etude des champs de contrainte des heterostructures semiconductrices de basse dimensionnalite, en vue d'ameliorer la comprehension de leur proprietes electroniques et optoelectroniques. La methode utilisee consiste a comparer les contrastes de microscopie electronique en transmission (met) associes aux sites d'heterogeneites de contrainte avec des contrastes simules obtenus a partir de champs de deformation calcules par la methode des elements finis. L'etude a ete entreprise dans le cas de deux types de structures presentant des relaxations de surface. Le premier probleme porte sur la caracterisation des champs de deformation heterogenes induits par la croissance tridimensionnelle de couches d'in#0#,#2#5ga#0#,#7#5as epitaxiees en tension sur substrat inp. Nos observations en met, associees aux calculs par elements finis et aux simulations de contraste, nous ont permis de localiser les sites de relaxation de contrainte agissant a la surface des echantillons (trous ou ilots) et de quantifier les champs de deformation associes a ces sites. Le deuxieme probleme traite de la relaxation d'un puits contraint d'in#0#,#1#3ga#0#,#8#7as enterre dans du gaas et emergeant a la surface d'un echantillon observe sur la tranche. Il existe dans ce cas des solutions analytiques au calcul des contraintes et la comparaison de ces resultats avec ceux des calculs par elements finis fournit une preuve supplementaire de la validite de ces derniers. Les calculs nous ont egalement permis de rendre compte avec precision des contrastes met associes a la relaxation en surface du puits contraint. Ces etudes montrent d'une part, que la methode des elements finis donne de tres bons resultats pour le calcul des champs de contrainte heterogenes dans les heterostructures semiconductrices et d'autre part, que la theorie utilisee pour les simulations de contraste de met s'applique bien dans les situations etudiees au cours de cette these. application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1998/50376-1998-29.pdf Jacob Damien 1900-01-01 120549913 1998LIL10015 1998-01-01 Sciences des matériaux Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui Lefebvre Alain 06109868X ddc:620 ASCII PDF 9999