• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1998

Résumé en langue originale

Les composants hemt (high electron mobility transistor) de la filiere inp presentent des potentialites tres interessantes pour le fonctionnement a tres haute frequence. Ils sont cependant limites par leur faible tenue en tension, liee a l'ionisation dans le canal gainas. Ce travail vise a mieux comprendre ces phenomenes. Dans ce but, nous avons utilise la simulation monte-carlo qui permet a la fois d'etudier les effets microscopiques lies au transport electronique et de determiner les performances des composants. Dans le premier chapitre, nous presentons le modele de simulation que nous avons developpe. Nous detaillons en particulier la description des contacts ohmiques, la prise en compte de l'ionisation par choc et le transport des trous generes. L'etude prealable des proprietes de transport dans les materiaux gainas, alinas et inp, de type n et p, fait l'objet du second chapitre. Dans le troisieme chapitre, nous examinons l'effet de l'ionisation par choc sur le fonctionnement des composants bases sur inp. Nous montrons que l'utilisation d'un canal mixte gainas/inp permet de reduire l'ionisation et donc d'ameliorer les performances. Le quatrieme et dernier chapitre de ce travail est consacre a l'etude des composants en regime dependant du temps. En regime sinusoidal petit signal, nous avons determine les performances hyperfrequences et discute la validite du schema equivalent. En regime grand signal, nous avons mis en evidence les effets non lineaires.