• Langue : Français
• Discipline : Sciences des matériaux
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1998

Résumé en langue originale

Nous avons etudie par microscopie electronique en transmission les dislocations et la plasticite dans les grenats silicates dans le but de mieux comprendre le role de ces materiaux dans la rheologie du manteau terrestre. Des experiences de deformation (6,5 gpa, t = 700 1400c) ont ete realisees (au chipr a stony brook) en presse multi-enclumes sur des echantillons de grenat et nous avons caracterise les microstructures de deformation. Parallelement, nous avons etudie des grenats deformes dans la nature. Nous avons observe les memes microstructures dans les grenats deformes experimentalement et naturellement. Les mecanismes actives dans les experiences reproduisent de facon satisfaisante le comportement des grenats dans la nature. Deux regimes de deformation sont mis en evidence. Le regime de basse temperature est caracterise par de la microplasticite localisee au voisinage des fissures. Dans le regime de haute temperature, le grenat est deformable plastiquement, les dislocations sont mobiles et se reorganisent en sous-joints. Les memes systemes de glissement operent a basse et haute temperature. 1/2<111>101 est le plus courant mais 1/2<111>112, 1/2<111>123, <100>001 et <100>011 sont aussi actives. Nous nous sommes egalement interesse a la variete de grenat enrichie en silicium (majorite) presente dans la zone de transition du manteau. La microstructure de fragments de majorite trouves dans la veine de choc d'une meteorite fortement choquee (acfer 90072) a ete comparee a celle observee dans des echantillons synthetises au bayrisches geoinstitut en presse multi-enclumes (19 gpa, 2000c). Dans les deux cas, nous observons des dislocations organisees en sous-joints formant des cellules qui proviennent probablement de la croissance. En grande majorite, les vecteurs de burgers trouves sont du type 1/2<111> mais quelques dislocations <100> sont egalement presentes.