• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1997

Résumé en langue originale

L'accroissement du nombre d'applications dans le domaine des ondes millimetriques, necessite l'etablissement d'outils de simulation precis et fiables. Par consequent, le principal objectif de ce travail est l'etablissement de modeles lineaires incluant le bruit hyperfrequence des h.e.m.t. De longueur de grille largement sub-micronique valides jusqu'aux ondes millimetriques. Ceci a necessite le developpement de bancs de mesures de parametres s et de facteur de bruit sous pointes. La premiere partie traite de la mesure de bruit de la gamme d'ondes centimetriques jusqu'aux millimetriques. Les principaux aspects de cette partie, concernent la mesure de bruit en gamme d'ondes millimetriques ainsi qu'une nouvelle methode de caracterisation en bruit des transistors a effet de champs. Le deuxieme chapitre traite de la representation petit signal des hemt. Les principales conclusions de ce travail montrent qu'il est possible d'obtenir les parametres s et de bruit avec une precision acceptable en gamme d'ondes millimetriques a partir de modeles simples etablis a partir de caracterisations a de plus basses frequences. Cette partie s'attache aussi a la comparaison des deux approches en gamme d'ondes millimetriques. La troisieme partie considere les modeles de bruit pour la conception de circuits faible bruit en gamme d'ondes millimetriques. Nous montrerons donc un nouveau modele de bruit pour les hemt et un modele complet pour la realisation de circuits a base de hemts. Ce travail montre qu'on peut realiser une modelisation precise en gamme d'ondes millimetriques des parametres de bruit et des parametres s a partir de mesures effectuees en gamme d'ondes centimetriques.